SK海力士开发出238层NND闪存芯片 明年上半年量产
[百科] 时间:2025-07-08 05:50:38 来源:东南竹箭网 作者:综合 点击:67次
新浪科技讯 北京时间8月3日消息,海力韩国SK海力士(SK Hynix)已经开发出238层NAND闪存芯片,士开闪存上半它可以用于PC存储设备、发出智能手机和服务器。层N产上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。芯片
SK海力士宣称新的明年238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,年量读取数据消耗的海力能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。士开闪存上半
英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm,发出它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的层N产18%,仅次于三星的芯片35.3%和Kioxia的18.9%。(星海)
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